设备名称：原子层沉积系统

设备简介：BENEQ TFS 200是一款高灵活性原子层沉积（ALD）研发平台，支持6寸及以下晶圆，标配电容耦合等离子体增强ALD（PEALD）及热法ALD，工艺温度25–500℃，热壁反应室/冷壁真空腔结构确保均匀沉积。

设备名称：电感耦合等离子体化学气相沉积系统

设备简介：SI 500 D是一款高密度感应耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）系统，可低温生长低损伤介电薄膜。设备集成了平面三重螺旋天线（PTSA）射频等离子体源、动态温控基底电极及全自动真空系统，能够在室温~400℃范围内稳定地制备SiO₂、Si3N4、SiONx、SiC及TEOS-SiO₂等多种薄膜，适用于科研及工业量产。

设备名称：等离子体增强化学气相沉积系统（含TEOS）

设备简介：等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。PD-220NL机台支持8inch，可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的硅基薄膜，包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅，并具有优异的稳定性和可重复性。

设备名称：大角度磁控溅射系统

设备简介：Pro Line PVD 75大角度磁控溅射系统可直接在导体、半导体、绝缘体上沉积任意纳米薄膜；通过靶枪通电产生电子，加速的电子与工作气体碰撞产生溅射所需的离子，并在电场作用下加速轰击靶材，溅射出靶材原子，靶材原子沉积在基片上形成薄膜。靶枪所加载的功率一定范围内连续可调，沉积速率可调。根据薄膜材料特点，通过软件控制工艺真空度、充气流量、工作气压。

设备名称：电子束蒸发沉积系统

设备简介：Kurt J. Lesker PVD 200 高真空电子束热蒸发复合沉积镀膜系统可在金属、陶瓷、塑料等基片的表面进行薄膜沉积，制备均匀的薄膜，膜厚度可由数百埃至数微米。支持6inch晶圆及向下兼容样品镀膜，装有6个热蒸发舟；配备eKLipse™先进控制软件，实现自动化镀膜速率调整与快速抽真空；性能稳定可靠。

设备名称：退火炉

设备简介：SH-FU-120STG-WG 配备气路管理系统，适用于非氧化/惰性气氛下的高温热处理；广泛用于半导体器件制程中的薄膜退火、晶体生长前驱体活化及MEMS器件热处理。