设备名称:低压化学气相沉积系统 设备简介:ECM GREENTECH TS150-25W-4T是一款模块化批处理卧式炉管,支持≤6寸(150mm)晶圆,退火和氧化炉满舟50片,氮化硅和TEOS满舟可装载25片,4腔独立控温、多气体/液相前驱物工艺,并配备高精度数字直流控温系统与PLC界面,适用于半导体及材料研究中的多样化热处理。 |
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设备名称:原子层沉积系统 设备简介:BENEQ TFS 200是一款高灵活性原子层沉积(ALD)研发平台,支持6寸及以下晶圆,标配电容耦合等离子体增强ALD(PEALD)及热法ALD,工艺温度25–500℃,热壁反应室/冷壁真空腔结构确保均匀沉积。 |
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设备名称:电感耦合等离子体化学气相沉积系统 设备简介:SI 500 D是一款高密度感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)系统,可低温生长低损伤介电薄膜。设备集成了平面三重螺旋天线(PTSA)射频等离子体源、动态温控基底电极及全自动真空系统,能够在室温~400℃范围内稳定地制备SiO₂、Si3N4、SiONx、SiC及TEOS-SiO₂等多种薄膜,适用于科研及工业量产。 |
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设备名称:等离子体增强化学气相沉积系统(含TEOS) 设备简介:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态,在目标基材上产生活性自由基和离子,使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。PD-220NL机台支持8inch,可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的硅基薄膜,包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅,并具有优异的稳定性和可重复性。 |
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设备名称:大角度磁控溅射系统 设备简介:Pro Line PVD 75大角度磁控溅射系统可直接在导体、半导体、绝缘体上沉积任意纳米薄膜;通过靶枪通电产生电子,加速的电子与工作气体碰撞产生溅射所需的离子,并在电场作用下加速轰击靶材,溅射出靶材原子,靶材原子沉积在基片上形成薄膜。靶枪所加载的功率一定范围内连续可调,沉积速率可调。根据薄膜材料特点,通过软件控制工艺真空度、充气流量、工作气压。 |
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设备名称:电子束蒸发沉积系统 设备简介:Kurt J. Lesker PVD 200 高真空电子束热蒸发复合沉积镀膜系统可在金属、陶瓷、塑料等基片的表面进行薄膜沉积,制备均匀的薄膜,膜厚度可由数百埃至数微米。支持6inch晶圆及向下兼容样品镀膜,装有6个热蒸发舟;配备eKLipse™先进控制软件,实现自动化镀膜速率调整与快速抽真空;性能稳定可靠。 |
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设备名称:退火炉 设备简介:SH-FU-120STG-WG 配备气路管理系统,适用于非氧化/惰性气氛下的高温热处理;广泛用于半导体器件制程中的薄膜退火、晶体生长前驱体活化及MEMS器件热处理。 |