设备名称:电子束曝光系统

设备简介:利用高能电子束与光刻胶相互作用,使得衬底表面光刻胶的特定图形区域被电子束曝光形成纳米级分辨率的图形。基于纳米级图形化,通过转移图形到衬底,即可制备相应的纳光电子器件,可以适用于多种类型衬底材料,包括氮化硅、氧化硅、氮化铝、III-V族、铌酸锂薄膜、超导薄膜等构建的光电芯片、纳光电子芯片、光量子芯片、纳米光学器件、衍射光学元件等。

设备名称:激光直写系统

设备简介:将设计图形线路利用激光直写在涂有光刻胶之芯片、铬掩模板、玻璃基板或陶瓷基板等基材上,适用于单片及不规则小片的无掩模光刻工艺。主要功能有:掩模板制作;光刻胶直写;线宽距离测量;套刻直写;三维灰阶光刻。

设备名称:深紫外曝光系统

设备简介:Canon FPA3000 EX4是一款高性能的步进式光刻机,专为半导体制造业设计的量产型光刻工艺装备,适用于生产高精度的集成电路等。该设备以其良好的成像能力和高生产效率而闻名。

设备名称:涂胶显影系统

设备简介:Track ACT8 TM是目前世界上以高可靠性著名的涂胶/显影设备,可对应4inch硅片生产的高端涂胶显影设备。半导体制造设设备涂胶显影机用于半导体制造光刻工艺段,是感光剂的涂布和显影剂及附着力促进剂的涂布设备。在该设备的涂胶单元中,硅片上面的感光剂被涂布后送到曝光设备里,通过与光刻机的联机将掩模板上的图形投影到硅片上。接下来,曝光后的硅片通过机械手传递回涂胶显影机的显影单元,通过堆硅片表面喷涂显影液,使被感光部分的感光剂溶解,即可将掩模板图形转移到光刻胶中。经过各种工序重复,完成完整晶圆级光刻。

设备名称:紫外曝光系统

设备简介:SUSS MA/BA6 Gen4紫外曝光系统是面向半导体、微电子及MEMS领域的高精度光刻设备,适用于研发与中小批量产。该系统搭载LED光源,支持365nm波长及近紫外波段,具备优异的曝光均匀性(±2%以内)和亚微米级分辨率,可满足2um晶圆级图形的精密加工需求。模块化设计兼容4-6英寸基片,配备全自动掩膜-基片对准系统(精度±0.5um)。设备兼具科研灵活性与工业级可靠性。

设备名称:晶圆键合系统

设备简介:SUSS MicroTec SB6 Gen2是一款半自动晶圆键合平台,支持最大150 mm(6″)晶圆及不规则基材,可灵活切换熔融、共晶、玻璃糊、胶粘等多种键合工艺;键合温度可调至500 °C,键合力最高20 kN,配合精密预对准与图形化控制界面。

设备名称:HMDS烘箱

设备简介:YES 310TA HMDS烘箱是用于半导体光刻工艺设计的预处理设备,采用六甲基二硅胺烷(HMDS)增强晶圆表面附着力。配备精准温控系统(室温-300℃±1℃)、均匀热场(±1.5℃)和智能程序控制,支持8英寸及以下衬底。满足微电子、MEMS和先进封装等领域的高洁净度要求,提升光刻胶涂覆质量和工艺稳定。

设备名称:涂胶机(Sawatec-2)

设备简介:SAWATEC SM-200匀胶机是一款专为光刻、MEMS等精密涂胶工艺设计的高性能设备,适应不同尺寸与材质的基板需求,广泛应用于实验室、研发及试产项目,是半导体制造与微电子研究中涂胶工艺的理想选择。

设备名称:涂胶机(SUSS-1)

设备简介:SUSS LabSpin6 是德国SUSS MicroTec公司生产的高精度涂胶设备,适用于半导体及微电子制造领域。胶厚均匀性(误差小于±5nm)。

设备名称:热板(Sawatec-1)

设备简介:SAWATEC HP-200热板是一款专为半导体光刻、MEMS等工艺设计的高精度加热设备,主要用于前烘和后烘工艺。其温度范围可达室温至250°C,热板表面覆盖安全玻璃盖板,便于清洁且降低维护成本,适用于实验室、研究所及试产项目。

设备名称:热板(Suss)

设备简介:SUSS HP8TT热板是德国SUSS MicroTec公司推出的实验室级加热设备,专为半导体研发和小规模生产设计。适用于光刻胶烘焙、薄膜固化等精密工艺。


设备预约请点击:https://noefab.pku.edu.cn/jxky/gk.htm