设备名称:电感耦合等离子体硅基刻蚀机

设备简介:该设备通过电感耦合(ICP)方式产生高密度等离子体,按掩膜图形、实现对硅基材料的各向异性干法刻蚀。

设备名称:电感耦合等离子体深硅刻蚀机

设备简介:该设备通过电感耦合(ICP)方式产生高密度等离子体,按掩膜图形、实现对硅基材料的各向异性干法刻蚀。

设备名称:铌酸锂刻蚀机

设备简介:NLD(neutral loop discharge,磁中性环路放电)较ICP而言,可在真空腔内形成高频电场,并由此产生等离子体。通过改变电流大小可以控制等离子体的直径及密度,所以具有高刻蚀速率、高均匀性、高等离子体密度及低压放电等优点。可获得高深宽比、高速率和选择比的刻蚀结果。

设备名称:等离子清洗机(一)

设备简介:PVA TePla America LLC IoN 40 是一款桌面式射频(RF)气体等离子体反应器,支持批量晶圆及异形样品的清洗、刻蚀与表面改性,可接入多种工艺气体与真空泵,广泛应用于半导体、LED、MEMS 与生命科学领域。

设备名称:等离子清洗机(二)

设备简介:Striper-100是一台射频(RF)气体等离子体反应刻蚀机(RIE),支持批量晶圆及异形样品的清洗、刻蚀与表面改性,可接入多种工艺气体与真空泵,广泛应用于半导体、LED、MEMS 与生命科学领域。


设备预约请点击:https://noefab.pku.edu.cn/jxky/gk.htm